极紫外光刻
用于集成电路设计等的技术
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极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），简称EUV光刻或EUVL，是通过将曝光波长大幅减小至13.5nm来实现更小节点光刻的技术，属于一种步进式投影曝光技术。它使用激光脉冲（Sn）液滴等离子体，产生接近13.5nm波长的极紫外光，通过使用反射光掩模曝光涂有光刻胶的基板来生产电路图形。截至2023年，主要还是应用于先进的半导体器件制造领域上。[1][2][3][4]
极紫外光刻技术主要由四个关键部分组成，分别是：极紫外光源、极紫外光学系统、极紫外掩膜和极紫外光刻胶。[2][5][6]
极紫外光刻光刻技术已经被广泛应用于先进工艺节点的集成电路芯片制造之中。它的研发交叉融合了光学、机械、电子、控制、软件、材料、数学、物理等多个学科的知识，该技术最早可以追溯到1988年Hawryluk和Seppala描述的极紫外成像系统。[1][7]
在2019年国际电子器件会议（IEDM）上，台积电报告了EUV在接触、通孔、金属线和切割层中的5nm节点的使用，在IEDM2020上，台积电报告其5nm节点最小金属间距比其7nm节点减少了30%。三星的5nm节点在光刻上与其7nm节点相同的设计规则，最小金属间距为36nm。截至2023年，ASML Holding是唯一一家生产和销售用于芯片生产的EUV系统的公司，目标是5纳米和3纳米工艺节点。[8][9][10][11]